3 אינטש דיאַמע 76.2 מם סיק סאַבסטרייץ HPSI פּריים פאָרשונג און דאַמי מיינונג

קאַנדאַקטיוו סאַבסטרייט: רעפערס צו די רעסיסטיוויטי פון 15 ~ 30mΩ-cm סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט.די סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל ווייפער דערוואַקסן פון די קאַנדאַקטיוו סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט קענען זיין מער געמאכט אין מאַכט דעוויסעס, וואָס זענען וויידלי געניצט אין נייַ ענערגיע וועהיקלעס, פאָטאָוואָלטאַיקס, קלוג גרידס און רעלס אַריבערפירן.

האַלב-ינסאַלייטינג סאַבסטרייט רעפערס צו די רעסיסטיוויטי העכער ווי 100000Ω-סענטימעטער סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט, דער הויפּט געניצט אין דער פּראָדוצירן פון גאַליום ניטריד מייקראַווייוו ראַדיאָ אָפטקייַט דעוויסעס, איז די יקער פון וויירליס קאָמוניקאַציע פעלד.

עס איז אַ יקערדיק קאָמפּאָנענט אין די פעלד פון וויירליס קאָמוניקאַציע.

סיליציום קאַרבידע קאַנדאַקטיוו און האַלב-ינסאַלייטינג סאַבסטרייץ זענען געניצט אין אַ ברייט קייט פון עלעקטראָניש דעוויסעס און מאַכט דעוויסעס, אַרייַנגערעכנט אָבער ניט לימיטעד צו די פאלגענדע:

הויך-מאַכט סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס (קאַנדאַקטיוו): סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייץ האָבן הויך ברייקדאַון פעלד שטאַרקייַט און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, און זענען פּאַסיק פֿאַר די פּראָדוקציע פון ​​הויך-מאַכט מאַכט טראַנזיסטערז און דייאָודז און אנדערע דעוויסעס.

רף עלעקטראָניש דעוויסעס (האַלב-ינסאַלייטיד): סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייץ האָבן הויך סוויטשינג גיכקייַט און מאַכט טאָלעראַנץ, פּאַסיק פֿאַר אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי רף מאַכט אַמפּלאַפייערז, מייקראַווייוו דעוויסעס און הויך אָפטקייַט סוויטשיז.

אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס (האַלב-ינסאַלייטיד): סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייץ האָבן אַ ברייט ענערגיע ריס און הויך טערמאַל פעסטקייַט, פּאַסיק פֿאַר מאכן פאָטאָדיאָדעס, זונ - סעלז און לאַזער דייאָודז און אנדערע דעוויסעס.

טעמפּעראַטור סענסאָרס (קאַנדאַקטיוו): סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייץ האָבן הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און טערמאַל פעסטקייַט, פּאַסיק פֿאַר די פּראָדוקציע פון ​​הויך-טעמפּעראַטור סענסאָרס און טעמפּעראַטור מעזשערמאַנט ינסטראַמאַנץ.

דער פּראָדוקציע פּראָצעס און אַפּלאַקיישאַן פון סיליציום קאַרבידע קאַנדאַקטיוו און האַלב-ינסאַלייטינג סאַבסטרייץ האָבן אַ ברייט קייט פון פעלדער און פּאָטענציעלז, פּראַוויידינג נייַ פּאַסאַבילאַטיז פֿאַר דער אַנטוויקלונג פון עלעקטראָניש דעוויסעס און מאַכט דעוויסעס.