3 אינטש 76.2 מם 4H-Semi SiC סאַבסטרייט ווייפער סיליציום קאַרבידע האַלב-ינסאַלטינג סיק ווייפערז

3-אינטש 4H האַלב-ינסאַלייטיד סיק (סיליציום קאַרבידע) סאַבסטרייט ווייפערז זענען אַ קאַמאַנלי געניצט סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַל.4H ינדיקייץ אַ טעטראַהעקסאַהעדראַל קריסטאַל סטרוקטור.האַלב-ינסאַליישאַן מיטל אַז די סאַבסטרייט האט הויך קעגנשטעל קעראַקטעריסטיקס און קענען זיין אַ ביסל אפגעזונדערט פון קראַנט לויפן.

אַזאַ סאַבסטרייט ווייפערז האָבן די פאלגענדע קעראַקטעריסטיקס: הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, נידעריק קאַנדאַקשאַן אָנווער, ויסגעצייכנט הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל און ויסגעצייכנט מעטשאַניקאַל און כעמישער פעסטקייַט.ווייַל סיליציום קאַרבידע האט אַ ברייט ענערגיע ריס און קענען וויטסטאַנד הויך טעמפּעראַטורעס און הויך עלעקטריק פעלד טנאָים, 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז זענען וויידלי געניצט אין מאַכט עלעקטראָניק און ראַדיאָ אָפטקייַט (רף) דעוויסעס.

די הויפּט אַפּלאַקיישאַנז פון 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז אַרייַננעמען:

1-- מאַכט עלעקטראָניק: 4H-SiC ווייפערז קענען ווערן גענוצט צו פּראָדוצירן מאַכט סוויטשינג דעוויסעס אַזאַ ווי MOSFETs (מעטאַל אַקסייד סעמיקאַנדאַקטער פיעלד אַפעקט טראַנזיסטאָרס), IGBTs (ינסאַלייטיד גייט ביפּאָלאַר טראַנסיסטאָרס) און סטשאָטטקי דייאָודז.די דעוויסעס האָבן נידעריקער קאַנדאַקשאַן און סוויטשינג לאָססעס אין הויך וואָולטידזש און הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ און פאָרשלאָגן העכער עפעקטיווקייַט און רילייאַבילאַטי.

2-- ראַדיאָ אָפטקייַט (רף) דעוויסעס: 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז קענען ווערן גענוצט צו פּראָדוצירן הויך מאַכט, הויך אָפטקייַט רף מאַכט אַמפּלאַפייערז, שפּאָן רעסיסטאָרס, פילטערס און אנדערע דעוויסעס.סיליציום קאַרבידע האט בעסער הויך-אָפטקייַט פאָרשטעלונג און טערמאַל פעסטקייַט רעכט צו זיין גרעסערע עלעקטראָן זעטיקונג דריפט קורס און העכער טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי.

3-- אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס: 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז קענען ווערן גענוצט צו פּראָדוצירן הויך-מאַכט לאַזער דייאָודז, ווו ליכט דעטעקטאָרס און אָפּטאָעלעקטראָניק ינאַגרייטיד סערקאַץ.

אין טערמינען פון מאַרק ריכטונג, די פאָדערונג פֿאַר 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז איז ינקריסינג מיט די גראָוינג פעלדער פון מאַכט עלעקטראָניק, רף און אָפּטאָילעקטראָניקס.דאָס איז רעכט צו דעם פאַקט אַז סיליציום קאַרבידע האט אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז, אַרייַנגערעכנט ענערגיע עפעקטיווקייַט, עלעקטריק וועהיקלעס, רינואַבאַל ענערגיע און קאָמוניקאַציע.אין דער צוקונפֿט, דער מאַרק פֿאַר 4H-SiC האַלב-ינסאַלייטיד ווייפערז בלייבט זייער פּראַמאַסינג און איז געריכט צו פאַרבייַטן קאַנווענשאַנאַל סיליציום מאַטעריאַלס אין פאַרשידן אַפּלאַקיישאַנז.