150 מם 6 אינטש 0.7 מם 0.5 מם סאַפייער ווייפער סאַבסטרייט קאַריער C-פּליין סספּ / דספּ

קורץ באַשרייַבונג:

אַלע פון די אויבן זענען ריכטיק דיסקריפּשאַנז פון סאַפייער קריסטאַלז.די ויסגעצייכנט פאָרשטעלונג פון סאַפייער קריסטאַל מאכט עס וויידלי געניצט אין הויך-סוף טעכניש פעלדער.מיט דער גיך אַנטוויקלונג פון די געפירט אינדוסטריע, די פאָדערונג פֿאַר סאַפייער קריסטאַל מאַטעריאַלס איז אויך ינקריסינג.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

אַפּפּליקאַטיאָנס

אַפּפּליקאַטיאָנס פֿאַר 6-אינטש סאַפייער ווייפערז אַרייַננעמען:

1. געפירט מאַנופאַקטורינג: סאַפייער ווייפער קענען זיין געניצט ווי די סאַבסטרייט פון געפירט טשיפּס, און זייַן כאַרדנאַס און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי קענען פֿאַרבעסערן די פעסטקייַט און דינסט לעבן פון געפירט טשיפּס.

2. לאַזער מאַנופאַקטורינג: סאַפייער ווייפער קענען אויך זיין געניצט ווי די סאַבסטרייט פון לאַזער, צו פֿאַרבעסערן די פאָרשטעלונג פון לאַזער און פאַרלענגערן די דינסט לעבן.

3. סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג: סאַפייער ווייפערז זענען וויידלי געניצט אין די פּראָדוצירן פון עלעקטראָניש און אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס, אַרייַנגערעכנט אָפּטיש סינטעז, זונ - סעלז, הויך-אָפטקייַט עלעקטראָניש דעוויסעס, אאז"ו ו.

4. אנדערע אַפּלאַקיישאַנז: סאַפייער ווייפער קענען אויך זיין געניצט צו פּראָדוצירן פאַרבינדן פאַרשטעלן, אָפּטיש דעוויסעס, דין פילם זונ - סעלז און אנדערע הויך-טעק פּראָדוקטן.

ספּעציפיקאַציע

מאַטעריאַל	הויך ריינקייַט איין קריסטאַל אַל2אָ3, סאַפייער ווייפער.
ויסמעסטונג	150 מם +/- 0.05 מם, 6 אינטש
גרעב	1300 +/- 25 um
אָריענטירונג	C פלאַך (0001) אַוועק M (1-100) פלאַך 0.2 +/- 0.05 גראַד
ערשטיק פלאַך אָריענטירונג	א פלאַך +/- 1 גראַד
ערשטיק פלאַך לענג	47.5 מם +/- 1 מם
גאַנץ גרעב ווערייישאַן (טטוו)	<20 um
בויגן	<25 um
וואָרפּ	<25 um
טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט	6.66 X 10-6 / °C פּאַראַלעל צו C אַקס, 5 X 10-6 / °C פּערפּענדיקולאַר צו C אַקס
דיעלעקטריק סטרענגטה	4.8 רענטגענ 105 וו / סענטימעטער
דיעלעקטריק קעסיידערדיק	11.5 (1 מהז) צוזאמען C אַקס, 9.3 (1 מהז) פּערפּענדיקולאַר צו C אַקס
דיעלעקטריק לאָס טאַנגענט (אַקאַ דיסיפּיישאַן פאַקטאָר)	ווייניקער ווי 1 X 10-4
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי	40 וו / (מק) ביי 20 ℃
פּאַלישינג	איין זייַט פּאַלישט (SSP) אָדער טאָפּל זייַט פּאַלישט (DSP) Ra <0.5 nm (דורך AFM).די פאַרקערט זייַט פון סספּ ווייפער איז געווען פייַן ערד צו ראַ = 0.8 - 1.2 אַם.
טראַנסמיטטאַנס	88% +/-1% @460 נם