הויך כאַרדנאַס טראַנסלוסאַנט סאַפייער איין קריסטאַל רער

קורץ באַשרייַבונג:

EFG מעטאָד סאַפייער טובז האָבן אַ ברייט קייט פון ניצט און פּאָטענציעל אַפּלאַקיישאַנז אין די פעלד פון הויך-אָפטקייַט עלעקטראָניק און קאָמוניקאַציע רעכט צו זייער ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי און הויך ריינקייַט.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

באַקענען ווייפער קעסטל

EFG אופֿן איז אַ אופֿן געניצט צו וואַקסן סאַפייער קריסטאַלז פֿאַר דער צוגרייטונג פון פירן פורעם אופֿן סאַפייער טובז.די פאלגענדע איז אַ דיטיילד באַשרייַבונג פון די גראָוט אופֿן, קעראַקטעריסטיקס און ניצט פון סאַפייער טובז דורך די גיידיד מאָדע אופֿן:

הויך ריינקייַט: די קאַנדאַקטיוו EFG אופֿן פון סאַפייער רער גראָוט פּראָצעס אַלאַוז אַ העכסט ריין סאַפייער קריסטאַל וווּקס, רידוסינג די פּראַל פון ימפּיוראַטיז אויף עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי.

הויך קוואַליטעט: די EFG אופֿן פון די קאַנדאַקטיוו מאָדע סאַפייער רער טראגט אַ הויך קוואַליטעט קריסטאַל סטרוקטור, פּראַוויידינג נידעריק עלעקטראָן צעוואָרפן און הויך עלעקטראָן מאָביליטי.

ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי: סאַפייער קריסטאַלז האָבן גוט עלעקטריקאַל און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, מאכן קאַנדאַקטיוו מאָדע סאַפייער טובז ויסגעצייכנט פֿאַר הויך אָפטקייַט און מייקראַווייוו אַפּלאַקיישאַנז.

הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל: סאַפייער האט ויסגעצייכנט הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל און איז ביכולת צו האַלטן סטאַביל עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי אין הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ.

פּראָדוקט	סאַפייערטובזרער
מאַטעריאַל	99.99% ריין סאַפייער גלאז
פּראַסעסינג מעטאַד	מילינג פון סאַפייער שיט
גרייס	OD:φ55.00 × שייַן: φ59.00 × ל: 300.0 (מם)OD:φ34.00 × שייַן: φ40.00 × ל: 800.0 (מם) OD:φ5.00×ID:φ20.00×ל:1500.0(מם)
אַפּפּליקאַטיאָן	אָפּטיש פֿענצטערגעפירט לייטינג לייזער סיסטעם אָפּטיש סענסער
באַשרייַבונג	KY טעכנאָלאָגיע סאַפייער טובז זענען טיפּיקלי געמאכט פון איין קריסטאַל סאַפייער, אַ פאָרעם פון אַלומינום אַקסייד (Al2O3) וואָס איז העכסט טראַנספּעראַנט און האט הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי.