הויך כאַרדנאַס טראַנסלוסאַנט סאַפייער איין קריסטאַל רער

EFG אופֿן איז אַ אופֿן געניצט צו וואַקסן סאַפייער קריסטאַלז פֿאַר דער צוגרייטונג פון פירן פורעם אופֿן סאַפייער טובז. די פאלגענדע איז אַ דיטיילד באַשרייַבונג פון די גראָוט אופֿן, קעראַקטעריסטיקס און ניצט פון סאַפייער טובז דורך די גיידיד מאָדע אופֿן:

הויך ריינקייַט: די קאַנדאַקטיוו EFG אופֿן פון סאַפייער רער גראָוט פּראָצעס אַלאַוז אַ העכסט ריין סאַפייער קריסטאַל וווּקס, רידוסינג די פּראַל פון ימפּיוראַטיז אויף עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי.

הויך קוואַליטעט: די EFG אופֿן פון די קאַנדאַקטיוו מאָדע סאַפייער רער טראגט אַ הויך קוואַליטעט קריסטאַל סטרוקטור, פּראַוויידינג נידעריק עלעקטראָן צעוואָרפן און הויך עלעקטראָן מאָביליטי.

ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי: סאַפייער קריסטאַלז האָבן גוט עלעקטריקאַל און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, מאכן קאַנדאַקטיוו מאָדע סאַפייער טובז ויסגעצייכנט פֿאַר הויך אָפטקייַט און מייקראַווייוו אַפּלאַקיישאַנז.

הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל: סאַפייער האט ויסגעצייכנט הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל און איז ביכולת צו האַלטן סטאַביל עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי אין הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ.