4H-N/6H-N SiC וועיפער ריסערטש פּראָדוקציע דאַמי גראַד דיאַ150 מם סיליקאָן קאַרבייד סאַבסטראַט

גראַד

נול MPD

פּראָדוקציע

פאָרשונג גראַד

דאַמי גראַד

דיאַמעטער

150.0 מ״מ ± 0.25 מ״מ

גרעב

4H-N

350ום ± 25ום

4H-SI

500ום ± 25ום

וואַפער אָריענטירונג

אויף אַקס: <0001> ± 0.5° פֿאַר 4H-SI
נישט אויף דער אַקס: 4.0° צו <1120> ± 0.5° פֿאַר 4H-N

הויפּט וווינונג

{10-10}±5.0°

ערשטיק פלאַך לענג

47.5 מ״מ ± 2.5 מ״מ

ברעג אויסשליסונג

3 מ״מ

TTV/בויגן/וואָרפּ

≤15ום/≤40ום/≤60ום

מיקראָפּייפּ געדיכטקייט

≤1 סענטימעטער-2

≤5 סענטימעטער-2

≤15 סענטימעטער-2

≤50 סענטימעטער-2

קעגנשטאנד 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

ראַפקייט

פּויליש ראַ ≤1 נם CMP ראַ≤0.5 נם

#ריסן דורך הויך-אינטענסיטעט ליכט

קיין איינס

1 ערלויבט, ≤2 מם

קומולאַטיווע לענג ≤10 מם, איין לענג ≤2 מם

*העקס פּלאַטעס דורך הויך אינטענסיטי ליכט

קומולאַטיווע שטח ≤1%

קומולאַטיווע שטח ≤ 2%

קומולאַטיווע שטח ≤ 5%

*פּאָליטיפּ געביטן דורך הויך אינטענסיטעט ליכט

קיין איינס

קומולאַטיווע שטח ≤ 2%

קומולאַטיווע שטח ≤ 5%

*&קראַצן דורך הויך-אינטענסיטעט ליכט

3 קראַצן צו 1 x וועיפער דיאַמעטער קומולאַטיווע לענג

5 קראַצן צו 1 x וועיפער דיאַמעטער קומולאַטיווע לענג

5 קראַצן ביז 1 x וועיפער דיאַמעטער קומולאַטיווע לענג

ברעג טשיפּ

קיין איינס

3 ערלויבט, ≤0.5 מם יעדער

5 ערלויבט, ≤1 מם יעדער

קאָנטאַמינאַציע דורך הויך-אינטענסיטעט ליכט

קיין איינס