4 אינטש הויך ריינקייַט אַל2אָ3 99.999% סאַפייער סאַבסטרייט ווייפער דיאַמע101.6×0.65מם מיט ערשטיק פלאַך לענג

נומער

4-אינטש C-פּלאַן (0001) 650μם סאַפייער וואַפערס

קריסטאַל מאַטעריאַלס

99,999%, הויך ריינקייַט, מאָנאָקריסטאַללינע אַל2אָ3

גראַדע

פּריים, עפּי-גרייט

ייבערפלאַך אָריענטירונג

C-פּליין (0001)

C- פלאַך אַוועק-ווינקל צו מ-אַקס 0.2 +/- 0.1 °

דיאַמעטער

100.0 מם +/- 0.1 מם

גרעב

650 μם +/- 25 μם

ערשטיק פלאַך אָריענטירונג

א פלאַך (11-20) +/- 0.2 °

ערשטיק פלאַך לענג

30.0 מם +/- 1.0 מם

איין זייַט פּאַלישט

פראָנט ייבערפלאַך

עפּי-פּאַליש, ראַ <0.2 נם (דורך AFM)

(SSP)

צוריק ייבערפלאַך

פיין ערד, ראַ = 0.8 μם צו 1.2 μם

טאָפּל זייַט פּאַלישט

פראָנט ייבערפלאַך

עפּי-פּאַליש, ראַ <0.2 נם (דורך AFM)

(DSP)

צוריק ייבערפלאַך

עפּי-פּאַליש, ראַ <0.2 נם (דורך AFM)

TTV

< 20 μם

בויגן

< 20 μם

WARP

< 20 μם

רייניקונג / פּאַקקאַגינג

קלאַס 100 קלינראָאָם רייניקונג און וואַקוום פּאַקקאַגינג,

25 ברעקלעך אין איין קאַסעט פּאַקקאַגינג אָדער איין שטיק פּאַקקאַגינג.