200 מם 8 אינטש גאַן אויף סאַפייער עפּי-שיכטע ווייפער סאַבסטרייט

קורץ באַשרייַבונג:

דער מאַנופאַקטורינג פּראָצעס ינוואַלווז די עפּיטאַקסיאַל וווּקס פון אַ גאַן שיכטע אויף אַ סאַפייער סאַבסטרייט ניצן אַוואַנסירטע טעקניקס אַזאַ ווי מעטאַל-אָרגאַניק כעמישער פארע דעפּאַזישאַן (MOCVD) אָדער מאָלעקולאַר שטראַל עפּיטאַקסי (MBE).די דעפּאַזישאַן איז געפירט אויס אונטער קאַנטראָולד טנאָים צו ענשור הויך קריסטאַל קוואַליטעט און פילם יונאַפאָרמאַטי.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

פּראָדוקט הקדמה

די 8-אינטש GaN-on-Sapphire סאַבסטרייט איז אַ הויך-קוואַליטעט סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַל וואָס איז קאַמפּאָוזד פון אַ גאַליום ניטרידע (גאַן) שיכטע, אַ סאַפייער סאַבסטרייט.דער מאַטעריאַל אָפפערס ויסגעצייכנט עלעקטראָניש אַריבערפירן פּראָפּערטיעס און איז ידעאַל פֿאַר די פאַבריקיישאַן פון הויך-מאַכט און הויך-אָפטקייַט סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס.

מאַנופאַקטורינג אופֿן

אַפּפּליקאַטיאָנס

די 8-אינטש GaN-on-Sapphire סאַבסטרייט געפינט ברייט אַפּלאַקיישאַנז אין פאַרשידן פעלדער אַרייַנגערעכנט מייקראַווייוו קאָמוניקאַציע, ראַדאַרסיסטעמס, וויירליס טעכנאָלאָגיע און אָפּטאָילעקטראָניק.עטלעכע פון די פּראָסט אַפּלאַקיישאַנז אַרייַננעמען:

1. רף מאַכט אַמפּלאַפייערז

2. געפירט לייטינג אינדוסטריע

3. ווירעלעסס נעץ קאָמוניקאַציע דעוויסעס

4. עלעקטראָניש דעוויסעס פֿאַר הויך-טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ

5. Oפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס

פּראָדוקט ספּעסאַפאַקיישאַנז

-דימענשאַן: די סאַבסטרייט גרייס איז 8 אינטשעס (200 מם) אין דיאַמעטער.

- ייבערפלאַך קוואַליטעט: די ייבערפלאַך איז פּאַלישט צו אַ הויך גראַד פון סמודנאַס און יגזיבאַץ ויסגעצייכנט שפּיגל-ווי קוואַליטעט.

- גרעב: די גרעב פון די GaN שיכטע קענען זיין קאַסטאַמייזד באזירט אויף ספּעציפיש רעקווירעמענץ.

- פּאַקקאַגינג: די סאַבסטרייט איז קערפאַלי פּאַקידזשד אין אַנטי-סטאַטיק מאַטעריאַלס צו פאַרמייַדן שעדיקן בעשאַס דורכפאָר.

- אָריענטירונג פלאַך: די סאַבסטרייט האט אַ ספּעציפיש אָריענטירונג פלאַך צו אַרוישעלפן אין ווייפער אַליינמאַנט און האַנדלינג בעשאַס די פּראָדוקציע פּראָצעס פון מיטל.

- אנדערע פּאַראַמעטערס: די ספּעסיפיקס פון די גרעב, רעסיסטיוויטי און דאָפּאַנט קאַנסאַנטריישאַן קענען זיין טיילערד לויט קונה באדערפענישן.

מיט זיין העכער מאַטעריאַל פּראָפּערטיעס און ווערסאַטאַל אַפּלאַקיישאַנז, די 8-אינטש GaN-on-Sapphire סאַבסטרייט איז אַ פאַרלאָזלעך ברירה פֿאַר די אַנטוויקלונג פון הויך-פאָרשטעלונג סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס אין פאַרשידן ינדאַסטריז.

אַחוץ GaN-On-Sapphire, מיר אויך קענען פאָרשלאָגן אין די פעלד פון מאַכט מיטל אַפּלאַקיישאַנז, די פּראָדוקט משפּחה כולל 8-אינטש אַלגאַן / גאַן-אויף-סי עפּיטאַקסיאַל ווייפערז און 8-אינטש פּ-קאַפּ אַלגאַן / גאַן-אויף-סי עפּיטאַקסיאַל ווייפערז.אין דער זעלביקער צייט, מיר ינאָוווייטיד די אַפּלאַקיישאַן פון זיין אייגענע אַוואַנסירטע 8-אינטש GaN עפּיטאַקסי טעכנאָלאָגיע אין די מייקראַווייוו פעלד, און דעוועלאָפּעד אַ 8-אינטש AlGaN / GAN-on-HR Si עפּיטאַקסי ווייפער וואָס קאַמביינז הויך פאָרשטעלונג מיט גרויס גרייס, נידעריק פּרייַז. און קאַמפּאַטאַבאַל מיט נאָרמאַל 8-אינטש מיטל פּראַסעסינג.אין אַדישאַן צו סיליציום-באזירט גאַליום ניטרידע, מיר אויך האָבן אַ פּראָדוקט שורה פון אַלגאַן / גאַן-אויף-סיק עפּיטאַקסיאַל ווייפערז צו טרעפן קאַסטאַמערז 'באדערפענישן פֿאַר סיליציום-באזירט גאַליום ניטריד עפּיטאַקסיאַל מאַטעריאַלס.