סיק אָפּטישע לינז 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI קאַסטאַמייזד גרייס

1. הויך רעפראַקטיוו אינדעקס און ברייט טראַנסמיסיע פֿענצטער: SiC אָפּטישע לענסעס ווייַזן אויסערגעוויינלעכע אָפּטישע פאָרשטעלונג מיט אַ רעפראַקטיוו אינדעקס פון בעערעך 2.6-2.7 אַריבער זייער אָפּעראַציאָנעל ספּעקטרום. דעם ברייט טראַנסמיסיע פֿענצטער (600-1850 נם) נעמט אַרום ביידע קענטיק און נאָענט-ינפראַרויט געביטן, מאכן זיי באַזונדער ווערטפול פֿאַר מולטי-ספּעקטראַל בילדגעבונג סיסטעמען און ברייטבאַנד אָפּטישע אַפּלאַקיישאַנז. די מאַטעריאַל ס נידעריק אַבזאָרפּשאַן קאָואַפישאַנט אין די ראַנגעס ינשורז מינימאַל סיגנאַל אַטענואַטיאָן, אפילו אין הויך-מאַכט לאַזער אַפּלאַקיישאַנז.

2. אויסערגעוויינלעכע נישט-לינעארע אפטישע אייגנשאפטן: סיליקאן קארבייד'ס אייגנארטיגע קריסטאלינע סטרוקטור גיט עס באמערקנסווערטע נישט-לינעארע אפטישע קאעפיציענטן (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), וואס ערמעגליכט עפעקטיווע פרעקווענץ קאנווערזיע פראצעסן. די אייגנשאפטן ווערן אקטיוו אויסגענוצט אין שניידנדיקע אפליקאציעס ווי אפטישע פאראמעטרישע אסילאטארן, אולטרא-שנעלע לייזער סיסטעמען, און אל-אפטישע סיגנאל פראצעסינג דעווייסעס. די מאטעריאל'ס הויכע שאדן שוועל (>5 GW/cm2) פארבעסערט ווייטער זיין פאסיגקייט פאר הויך-אינטענסיטעט אפליקאציעס.

3. מעכאנישע און טערמישע פעסטקייט: מיט אַן עלאַסטישן מאָדולוס וואָס דערנענטערט זיך צו 400 GPa און טערמישע קאַנדאַקטיוויטי וואָס איבערשטייגט 300 W/m·K, האַלטן SiC אָפּטישע קאָמפּאָנענטן אויסערגעוויינלעכע פעסטקייט אונטער מעכאַנישן דרוק און טערמישע ציקל. דער גאָר נידעריקער קאָעפיציענט פון טערמישער יקספּאַנשאַן (4.0×10-6/K) גאַראַנטירט מינימאַלע פֿאָקוס-פֿאַרשייבונג מיט טעמפּעראַטור-וועריאַציעס, אַ קריטישער פֿאָרטייל פֿאַר פּרעציזיע אָפּטישע סיסטעמען וואָס אַרבעטן אין פֿלוקטואַציאָנעלע טערמישע סביבות ווי למשל פּלאַץ-אַפּליקאַציעס אָדער אינדוסטריעלע לאַזער-פּראַסעסינג-עקוויפּמענט.

4. קוואַנטום אייגנשאַפטן: די סיליקאָן וואַקאַנסי (VSi) און דיוואַקאַנסי (VSiVC) קאָליר צענטערס אין 4H-SiC און 6H-SiC פּאָליטייפּס ווייַזן אָפּטיש אַדרעסאַבלע ספּין שטאַטן מיט לאַנגע קאָוכירענס צייטן ביי צימער טעמפּעראַטור. די קוואַנטום עמיטערז ווערן ינטאַגרירט אין סקאַלירבאַר קוואַנטום נעטוואָרקס און זענען באַזונדער פּראַמאַסינג פֿאַר דעוועלאָפּינג צימער-טעמפּעראַטור קוואַנטום סענסאָרס און קוואַנטום זכּרון דעוויסעס אין פאָטאָניק קוואַנטום קאַמפּיוטינג אַרכיטעקטורן.

5. CMOS קאָמפּאַטיביליטי: SiC'ס קאָמפּאַטיביליטי מיט נאָרמאַלע האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע פּראָצעסן ערמעגליכט דירעקטע מאָנאָליטישע אינטעגראַציע מיט סיליקאָן פאָטאָניקס פּלאַטפאָרמעס. דאָס ערמעגליכט די שאַפונג פון כייבריד פאָטאָניק-עלעקטראָנישע סיסטעמען וואָס קאָמבינירן SiC'ס אָפּטישע מעלות מיט סיליקאָן'ס עלעקטראָנישע פאַנגקשאַנאַליטי, עפֿענענדיק נייע מעגלעכקייטן פֿאַר סיסטעם-אויף-טשיפּ דיזיינז אין אָפּטישע קאָמפּיוטינג און סענסינג אַפּלאַקיישאַנז.