SiC סעראַמיק טאַץ טעלער גראַפייט מיט CVD SiC קאָוטינג פֿאַר ויסריכט

סיליציום קאַרבידע סעראַמיקס זענען נישט בלויז געניצט אין די דין פילם דעפּאַזישאַן בינע, אַזאַ ווי עפּיטאַקסי אָדער MOCVD, אָדער אין ווייפער פּראַסעסינג, אין די האַרץ פון וואָס די ווייפער טרעגער טאַץ פֿאַר MOCVD זענען ערשטער אונטערטעניק צו די דעפּאַזישאַן סוויווע, און זענען דעריבער העכסט קעגנשטעליק צו היץ און קעראָוזשאַן.סיק-קאָוטאַד קאַריערז אויך האָבן הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און ויסגעצייכנט טערמאַל פאַרשפּרייטונג פּראָפּערטיעס.

ריין כעמישער פארע דעפּאָסיטיאָן סיליציום קאַרבידע (CVD SiC) ווייפער קאַריערז פֿאַר הויך טעמפּעראַטור מעטאַל אָרגאַניק כעמישער פארע דעפּאָסיטיאָן (MOCVD) פּראַסעסינג.

ריין CVD SiC ווייפער קאַריערז זענען באטייטיק העכער ווי די קאַנווענשאַנאַל ווייפער קאַריערז געניצט אין דעם פּראָצעס, וואָס זענען גראַפייט און קאָוטאַד מיט אַ שיכטע פון ​​​​CVD SiC. די קאָוטאַד גראַפייט-באזירט קאַריערז קענען נישט וויטסטאַנד די הויך טעמפּעראַטורעס (1100 צו 1200 דיגריז סעלסיוס) פארלאנגט פֿאַר גאַן דעפּאַזישאַן פון הייַנט ס הויך ברייטנאַס בלוי און ווייַס געפירט. די הויך טעמפּעראַטורעס גרונט די קאָוטינג צו אַנטוויקלען קליינטשיק פּינכאָולז דורך וואָס פּראָצעס קעמיקאַלז יראָוד די גראַפייט ונטער. די גראַפייט פּאַרטיקאַלז דעמאָלט פלייק אַוועק און קאַנטאַמאַנייט די GaN, קאָזינג די קאָוטאַד ווייפער טרעגער צו זיין ריפּלייסט.

CVD SiC האט אַ ריינקייַט פון 99.999% אָדער מער און האט הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל. דעריבער, עס קענען וויטסטאַנד די הויך טעמפּעראַטורעס און האַרב ינווייראַנמאַנץ פון הויך ברייטנאַס געפירט מאַנופאַקטורינג. עס איז אַ האַרט מאַנאַליטיק מאַטעריאַל וואָס ריטשאַז טעאָרעטיש געדיכטקייַט, טראגט מינימאַל פּאַרטיקאַלז און יגזיבאַץ זייער הויך קעראָוזשאַן און יראָוזשאַן קעגנשטעל. דער מאַטעריאַל קענען טוישן אָופּאַסאַטי און קאַנדאַקטיוואַטי אָן ינטראָודוסינג מעטאַלליק ימפּיוראַטיז. ווייפער קאַריערז זענען טיפּיקלי 17 אינטשעס אין דיאַמעטער און קענען האַלטן אַרויף צו 40 2-4 אינטש ווייפערז.