SiC קעראַמיש טאַץ פּלאַטע גראַפיט מיט CVD SiC קאָוטינג פֿאַר ויסריכט

סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיקס ווערן נישט בלויז גענוצט אין דער דין-פילם דעפּאָזיציע בינע, אַזאַ ווי עפּיטאַקסי אָדער MOCVD, אָדער אין וועיפער פּראַסעסינג, אין דעם צענטער פון וואָס די וועיפער טרעגער טאַץ פֿאַר MOCVD ווערן ערשט אונטערטעניק צו דער דעפּאָזיציע סביבה, און זענען דעריבער העכסט קעגנשטעליק צו היץ און קעראָוזשאַן. SiC-קאָוטאַד טרעגערס האָבן אויך הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי און ויסגעצייכנט טערמישע פאַרשפּרייטונג פּראָפּערטיעס.

ריין כעמישע פארע דעפאזיציע סיליקאן קארבייד (CVD SiC) וועיפער טרעגערס פאר הויך טעמפעראטור מעטאל אָרגאַנישע כעמישע פארע דעפאזיציע (MOCVD) פּראַסעסינג.

ריינע CVD SiC וועיפער טרעגערס זענען באדייטנד בעסער ווי די קאנווענציאנעלע וועיפער טרעגערס וואס ווערן גענוצט אין דעם פראצעס, וועלכע זענען גראפיט און באדעקט מיט א שיכט פון CVD SiC. די באדעקטע גראפיט-באזירטע טרעגערס קענען נישט אויסהאלטן די הויכע טעמפעראטורן (1100 ביז 1200 גראד צעלזיוס) וואס זענען פארלאנגט פאר GaN דעפאזיציע פון ​​היינטיגע הויך-ברייטקייט בלוי און ווייסע LED. די הויכע טעמפעראטורן פאראורזאכן אז די באַדעקונג זאל אנטוויקלען קליינע לעכער דורך וועלכע פראצעס כעמיקאלן עראדירן דעם גראפיט אונטער. די גראפיט טיילכלעך פלעקן זיך דאן אפ און פארפעסטיקן דעם GaN, וואס פאראורזאכט אז דער באדעקטער וועיפער טרעגער דארף ווערן פארטרעטן.

CVD SiC האט א ריינקייט פון 99.999% אדער מער און האט הויכע טערמישע קאנדוקטיוויטי און טערמישע שאק קעגנשטאנד. דעריבער, קען עס אויסהאלטן די הויכע טעמפעראטורן און שווערע סביבות פון הויך-ברייטקייט LED פאבריקאציע. עס איז א הארט מאנאליטיש מאטעריאל וואס דערגרייכט טעארעטישע געדיכטקייט, פראדוצירט מינימאלע פארטיקלען, און ווייזט זייער הויכע קעראזיע און עראזיע קעגנשטאנד. דער מאטעריאל קען ענדערן אפאסיטי און קאנדוקטיוויטי אן אריינפירן מעטאלישע אומריינקייטן. וועיפער טרעגערס זענען טיפיש 17 אינטשעס אין דיאמעטער און קענען האלטן ביז 40 2-4 אינטש וועיפערס.