סיק ווייפערז זענען סעמיקאַנדאַקטערז געמאכט פון סיליציום קאַרבידע.דער מאַטעריאַל איז דעוועלאָפּעד אין 1893 און איז ידעאַל פֿאַר אַ פאַרשיידנקייַט פון אַפּלאַקיישאַנז.ספּעציעל פּאַסיק פֿאַר סטשאָטטקי דייאָודז, קנופּ שלאַבאַן סטשאָטטקי דייאָודז, סוויטשיז און מעטאַל-אַקסייד-סעמיקאַנדאַקטער פעלד-ווירקונג טראַנזיסטערז.רעכט צו זייַן הויך כאַרדנאַס, עס איז אַ ויסגעצייכנט ברירה פֿאַר מאַכט עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ.
דערווייַל, עס זענען צוויי הויפּט טייפּס פון SiC ווייפערז.דער ערשטער איז אַ פּאַלישט ווייפער, וואָס איז אַ איין סיליציום קאַרבידע ווייפער.עס איז געמאכט פון הויך ריינקייַט סיק קריסטאַלז און קענען זיין 100 מם אָדער 150 מם אין דיאַמעטער.עס איז געניצט אין הויך מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס.די רגע טיפּ איז עפּיטאַקסיאַל קריסטאַל סיליציום קאַרבידע ווייפער.דעם טיפּ פון ווייפער איז געמאכט דורך אַדינג אַ איין שיכטע פון סיליציום קאַרבידע קריסטאַלז צו די ייבערפלאַך.דעם אופֿן ריקווייערז גענוי קאָנטראָל פון די גרעב פון די מאַטעריאַל און איז באקאנט ווי N-טיפּ עפּיטאַקסי.
דער ווייַטער טיפּ איז ביתא סיליציום קאַרבידע.Beta SiC איז געשאפן ביי טעמפּעראַטורעס העכער 1700 דיגריז סעלסיוס.אַלף קאַרבידעס זענען די מערסט פּראָסט און האָבן אַ כעקסאַגאַנאַל קריסטאַל סטרוקטור ענלעך צו wurtzite.די ביתא פאָרעם איז ענלעך צו דימענט און איז געניצט אין עטלעכע אַפּלאַקיישאַנז.עס איז שטענדיק געווען דער ערשטער ברירה פֿאַר עלעקטריק פאָרמיטל מאַכט האַלב-פאַרטיק פּראָדוקטן.עטלעכע דריט-פּאַרטיי סיליציום קאַרבידע ווייפער סאַפּלייערז זענען דערווייַל ארבעטן אויף דעם נייַע מאַטעריאַל.
ZMSH SiC ווייפערז זענען זייער פאָלקס סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס.עס איז אַ הויך-קוואַליטעט סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַל וואָס איז געזונט פּאַסיק פֿאַר פילע אַפּלאַקיישאַנז.ZMSH סיליציום קאַרבידע ווייפערז זענען אַ זייער נוציק מאַטעריאַל פֿאַר פאַרשידן עלעקטראָניש דעוויסעס.ZMSH סאַפּלייז אַ ברייט קייט פון הויך קוואַליטעט סיק ווייפערז און סאַבסטרייץ.זיי זענען בנימצא אין N-טיפּ און האַלב-ינסאַלייטיד פארמען.
2 --- סיליציום קאַרבידע: צו אַ נייַע טקופע פון ווייפערז
גשמיות פּראָפּערטיעס און קעראַקטעריסטיקס פון סיליציום קאַרבידע
סיליציום קאַרבידע האט אַ ספּעציעל קריסטאַל סטרוקטור, ניצן אַ כעקסאַגאַנאַל נאָענט-פּאַקט סטרוקטור ענלעך צו דימענט.דעם סטרוקטור ינייבאַלז סיליציום קאַרבידע צו האָבן ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל.קאַמפּערד מיט טראדיציאנעלן סיליציום מאַטעריאַלס, סיליציום קאַרבידע האט אַ גרעסערע באַנד ריס ברייט, וואָס גיט העכער עלעקטראָן באַנד ספּייסינג, ריזאַלטינג אין העכער עלעקטראָן מאָביליטי און נידעריקער ליקאַדזש קראַנט.אין אַדישאַן, סיליציום קאַרבידע אויך האט אַ העכער עלעקטראָן זעטיקונג דריפט גיכקייַט און אַ נידעריקער רעסיסטיוויטי פון די מאַטעריאַל זיך, פּראַוויידינג בעסער פאָרשטעלונג פֿאַר הויך מאַכט אַפּלאַקיישאַנז.
אַפּפּליקאַטיאָן קאַסעס און פּראַספּעקס פון סיליציום קאַרבידע ווייפערז
מאַכט עלעקטראָניק אַפּלאַקיישאַנז
סיליציום קאַרבידע ווייפער האט אַ ברייט אַפּלאַקיישאַן פּראָספּעקט אין מאַכט עלעקטראָניק פעלד.רעכט צו זייער הויך עלעקטראָן מאָביליטי און ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, SIC ווייפערז קענען ווערן גענוצט צו פּראָדוצירן הויך-מאַכט געדיכטקייַט סוויטשינג דעוויסעס, אַזאַ ווי מאַכט מאַדזשולז פֿאַר עלעקטריק וועהיקלעס און זונ - ינווערטערס.די הויך טעמפּעראַטור פעסטקייַט פון סיליציום קאַרבידע ווייפערז ינייבאַלז די דעוויסעס צו אַרבעטן אין הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ, פּראַוויידינג גרעסערע עפעקטיווקייַט און רילייאַבילאַטי.
אָפּטאָ עלעקטראָניש אַפּלאַקיישאַנז
אין די פעלד פון אָפּטאָילעקטראָניק דעוויסעס, סיליציום קאַרבידע ווייפערז ווייַזן זייער יינציק אַדוואַנטידזשיז.סיליציום קאַרבידע מאַטעריאַל האט ברייט באַנד ריס קעראַקטעריסטיקס, וואָס ינייבאַלז עס צו דערגרייכן הויך פאָטאָנאָן ענערגיע און נידעריק ליכט אָנווער אין אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס.סיליציום קאַרבידע ווייפערז קענען זיין געניצט צו צוגרייטן הויך-גיכקייַט קאָמוניקאַציע דעוויסעס, פאָטאָדעטעקטאָרס און לייזערז.זייַן ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און נידעריק קריסטאַל כיסאָרן געדיכטקייַט מאַכן עס ידעאַל פֿאַר דער צוגרייטונג פון הויך-קוואַליטעט אָפּטאָילעקטראָניק דעוויסעס.
אַוטלוק
מיט די גראָוינג פאָדערונג פֿאַר הויך-פאָרשטעלונג עלעקטראָניש דעוויסעס, סיליציום קאַרבידע ווייפערז האָבן אַ פּראַמאַסינג צוקונפֿט ווי אַ מאַטעריאַל מיט ויסגעצייכנט פּראָפּערטיעס און ברייט אַפּלאַקיישאַן פּאָטענציעל.מיט די קעסיידערדיק פֿאַרבעסערונג פון צוגרייטונג טעכנאָלאָגיע און די רעדוקציע פון קאָס, די געשעפט אַפּלאַקיישאַן פון סיליציום קאַרבידע ווייפערז וועט זיין פּראָמאָטעד.עס איז דערוואַרט אַז אין די קומענדיק ביסל יאָרן, סיליציום קאַרבידע ווייפערז וועט ביסלעכווייַז אַרייַן די מאַרק און ווערן די מיינסטרים ברירה פֿאַר הויך מאַכט, הויך אָפטקייַט און הויך טעמפּעראַטור אַפּלאַקיישאַנז.
3 --- אין-טיפקייַט אַנאַליסיס פון SiC ווייפער מאַרק און טעכנאָלאָגיע טרענדס
אין-טיפקייַט אַנאַליסיס פון סיליציום קאַרבידע (SiC) ווייפער מאַרק דריווערס
דער וווּקס פון די סיליציום קאַרבידע (SiC) ווייפער מאַרק איז ינפלואַנסט דורך עטלעכע שליסל סיבות, און אַ טיף אַנאַליסיס פון די פּראַל פון די סיבות אויף דעם מאַרק איז קריטיש.דאָ זענען עטלעכע פון די הויפּט מאַרק דריווערס:
ענערגיע שפּאָרן און ינווייראַנמענאַל שוץ: די הויך פאָרשטעלונג און נידעריק מאַכט קאַנסאַמשאַן קעראַקטעריסטיקס פון סיליציום קאַרבידע מאַטעריאַלס מאַכן עס פאָלקס אין די פעלד פון ענערגיע שפּאָרן און ינווייראַנמענאַל שוץ.די פאָדערונג פֿאַר עלעקטריק וועהיקלעס, זונ - ינווערטערס און אנדערע ענערגיע קאַנווערזשאַן דעוויסעס איז דרייווינג די מאַרק וווּקס פון סיליציום קאַרבידע ווייפערז ווייַל עס העלפּס צו רעדוצירן ענערגיע וויסט.
מאַכט עלעקטראָניק אַפּלאַקיישאַנז: סיליציום קאַרבידע יקסעלז אין מאַכט עלעקטראָניק אַפּלאַקיישאַנז און קענען זיין געוויינט אין מאַכט עלעקטראָניק אונטער הויך דרוק און הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ.מיט די פּאָפּולאַריזאַטיאָן פון רינואַבאַל ענערגיע און די העכערונג פון עלעקטריק מאַכט יבערגאַנג, די פאָדערונג פֿאַר סיליציום קאַרבידע ווייפערז אין די מאַכט עלעקטראָניק מאַרק האלט צו פאַרגרעסערן.
SiC ווייפערז צוקונפֿט מאַנופאַקטורינג טעכנאָלאָגיע אַנטוויקלונג גאַנג דיטיילד אַנאַליסיס
מאַסע פּראָדוקציע און פּרייַז רעדוקציע: צוקונפֿט סיק וואַפער מאַנופאַקטורינג וועט פאָקוס מער אויף מאַסע פּראָדוקציע און פּרייַז רעדוקציע.דאָס ינקלודז ימפּרוווד וווּקס טעקניקס אַזאַ ווי כעמישער פארע דעפּאַזישאַן (CVD) און גשמיות פארע דעפּאַזישאַן (PVD) צו פאַרגרעסערן פּראָודאַקטיוויטי און רעדוצירן פּראָדוקציע קאָס.אין אַדישאַן, די אַדאַפּשאַן פון ינטעליגענט און אָטאַמייטיד פּראָדוקציע פּראַסעסאַז איז געריכט צו פֿאַרבעסערן עפעקטיווקייַט.
ניו ווייפער גרייס און סטרוקטור: די גרייס און סטרוקטור פון SiC ווייפערז קען טוישן אין דער צוקונפֿט צו טרעפן די באדערפענישן פון פאַרשידענע אַפּלאַקיישאַנז.דאָס קען אַרייַננעמען ווייפערז מיט גרעסערע דיאַמעטער, כעטעראַדזשיניאַס סטראַקטשערז אָדער מולטילייַער ווייפערז צו צושטעלן מער פּלאַן בייגיקייט און פאָרשטעלונג אָפּציעס.
ענערגיע עפעקטיווקייַט און גרין מאַנופאַקטורינג: די מאַנופאַקטורינג פון סיק ווייפערז אין דער צוקונפֿט וועט שטעלן אַ גרעסערע טראָפּ אויף ענערגיע עפעקטיווקייַט און גרין מאַנופאַקטורינג.פאבריקן פּאַוערד דורך רינואַבאַל ענערגיע, גרין מאַטעריאַלס, וויסט ריסייקלינג און נידעריק-טשאַד פּראָדוקציע פּראַסעסאַז וועט ווערן טרענדס אין מאַנופאַקטורינג.
פּאָסטן צייט: יאנואר 19-2024