InGaAs עפּיטאַקסיאַל ווייפער סאַבסטרייט PD Array פאָטאָדעטעקטאָר ערייז קענען זיין געוויינט פֿאַר LiDAR

קורץ באַשרייַבונג:

InGaAs עפּיטאַקסיאַל פילם רעפערס צו ינדיום גאַלליום אַרסעניק (InGaAs) איין קריסטאַל דין פילם מאַטעריאַל געשאפן דורך עפּיטאַקסיאַל גראָוט טעכנאָלאָגיע אויף אַ ספּעציפיש סאַבסטרייט. פּראָסט InGaAs עפּיטאַקסיאַל סאַבסטרייץ זענען ינדיום פאָספידע (ינפּ) און גאַליום אַרסענידע (גאַאַס). די סאַבסטרייט מאַטעריאַלס האָבן גוט קריסטאַל קוואַליטעט און טערמאַל פעסטקייַט, וואָס קענען צושטעלן אַ ויסגעצייכנט סאַבסטרייט פֿאַר די גראָוט פון InGaAs עפּיטאַקסיאַל לייַערס.
די PD Array (Photodetector Array) איז אַ מענגע פון פילע פאָטאָדעטעקטאָרס וואָס זענען ביכולת צו דעטעקטינג קייפל אָפּטיש סיגנאַלז סיימאַלטייניאַסלי. די עפּיטאַקסיאַל בויגן דערוואַקסן פֿון MOCVD איז דער הויפּט געניצט אין פאָטאָדעטעקשאַן דייאָודז, די אַבזאָרפּשאַן שיכטע איז קאַמפּאָוזד פון U-InGaAs, די הינטערגרונט דאָפּינג איז <5E14, און די דיפיוזד זן קענען זיין געענדיקט דורך דער קונה אָדער עפּיהאָוסע. די עפּיטאַקסיאַל טאַבלאַץ זענען אַנאַלייזד דורך PL, XRD און ECV מעזשערמאַנץ.

שיקן E- בריוו צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

שליסל פֿעיִקייטן פון די InGaAs לאַזער עפּיטאַקסיאַל בויגן אַרייַננעמען

1. לאַטאַס מאַטטשינג: גוט לאַטאַס מאַטטשינג קענען זיין אַטשיווד צווישן InGaAs עפּיטאַקסיאַל שיכטע און InP אָדער GaAs סאַבסטרייט, דערמיט רידוסינג די כיסאָרן געדיכטקייַט פון די עפּיטאַקסיאַל שיכטע און ימפּרוווינג די פאָרשטעלונג פון די מיטל.
2. אַדזשאַסטאַבאַל באַנד ריס: די באַנד ריס פון InGaAs מאַטעריאַל קענען זיין אַטשיווד דורך אַדזשאַסטינג די פּראָפּאָרציע פון קאַמפּאָונאַנץ אין און גאַ, וואָס מאכט InGaAs עפּיטאַקסיאַל בויגן האָבן אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַן פּראַספּעקס אין אָפּטאָילעקטראָניק דעוויסעס.
3. הויך פאָטאָסענסיטיוויטי: InGaAs עפּיטאַקסיאַל פילם האט אַ הויך סענסיטיוויטי צו ליכט, וואָס מאכט עס אין די פעלד פון פאָטאָעלעקטריק דיטעקשאַן, אָפּטיש קאָמוניקאַציע און אנדערע יינציק אַדוואַנטידזשיז.
4. הויך טעמפּעראַטור פעסטקייַט: InGaAs / InP עפּיטאַקסיאַל סטרוקטור האט ויסגעצייכנט הויך טעמפּעראַטור פעסטקייַט, און קענען טייַנען סטאַביל מיטל פאָרשטעלונג אין הויך טעמפּעראַטורעס.

די הויפּט אַפּלאַקיישאַנז פון InGaAs לאַזער עפּיטאַקסיאַל טאַבלאַץ אַרייַננעמען

1. אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס: InGaAs עפּיטאַקסיאַל טאַבלאַץ קענען זיין געניצט צו פּראָדוצירן פאָטאָדיאָדעס, פאָטאָדעטעקטאָרס און אנדערע אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס, וואָס האָבן אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז אין אָפּטיש קאָמוניקאַציע, נאַכט זעאונג און אנדערע פעלדער.

2. לייזערז: InGaAs עפּיטאַקסיאַל שיץ קענען אויך זיין געניצט צו פּראָדוצירן לייזערז, ספּעציעל לאַנג-ווייוולענגט לייזערז, וואָס שפּילן אַ וויכטיק ראָלע אין אָפּטיש פיברע קאָמוניקאַציע, אינדוסטריעלע פּראַסעסינג און אנדערע פעלדער.

3. זונ סעלז: InGaAs מאַטעריאַל האט אַ ברייט באַנד ריס אַדזשאַסטמאַנט קייט, וואָס קענען טרעפן די באַנד ריס רעקווירעמענץ פארלאנגט דורך טערמאַל פאָטאָוואָלטאַיק סעלז, אַזוי InGaAs עפּיטאַקסיאַל בויגן אויך האט זיכער אַפּלאַקיישאַן פּאָטענציעל אין די פעלד פון זונ סעלז.

4. מעדיציניש ימידזשינג: אין מעדיציניש ימידזשינג ויסריכט (אַזאַ ווי CT, MRI, אאז"ו ו), פֿאַר דיטעקשאַן און ימידזשינג.

5. סענסאָר נעץ: אין ינווייראַנמענאַל מאָניטאָרינג און גאַז דיטעקשאַן, קייפל פּאַראַמעטערס קענען זיין מאָניטאָרעד סיימאַלטייניאַסלי.

6. ינדוסטריאַל אָטאַמיישאַן: געניצט אין מאַשין זעאונג סיסטעמען צו מאָניטאָר די סטאַטוס און קוואַליטעט פון אַבדזשעקץ אויף די פּראָדוקציע שורה.

אין דער צוקונפֿט, די מאַטעריאַל פּראָפּערטיעס פון InGaAs עפּיטאַקסיאַל סאַבסטרייט וועט פאָרזעצן צו פֿאַרבעסערן, אַרייַנגערעכנט די פֿאַרבעסערונג פון פאָטאָעלעקטריק קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט און די רעדוקציע פון ראַש לעוועלס. דאָס וועט מאַכן די InGaAs עפּיטאַקסיאַל סאַבסטרייט מער וויידלי געניצט אין אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס, און די פאָרשטעלונג איז מער ויסגעצייכנט. אין דער זעלביקער צייט, דער צוגרייטונג פּראָצעס וועט זיין קאַנטיניואַסלי אָפּטימיזעד צו רעדוצירן קאָס און פֿאַרבעסערן עפעקטיווקייַט, אַזוי צו טרעפן די באדערפענישן פון די גרעסערע מאַרק.

אין אַלגעמיין, InGaAs עפּיטאַקסיאַל סאַבסטרייט אַקיאַפּייז אַ וויכטיק שטעלע אין די פעלד פון סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס מיט זייַן יינציק קעראַקטעריסטיקס און ברייט אַפּלאַקיישאַן פּראַספּעקס.

XKH אָפפערס קוסטאָמיזאַטיאָנס פון InGaAs עפּיטאַקסיאַל שיץ מיט פאַרשידענע סטראַקטשערז און געדיכטקייַט, קאַווערינג אַ ברייט קייט פון אַפּלאַקיישאַנז פֿאַר אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס, לייזערז און זונ סעלז. XKH ס פּראָדוקטן זענען מאַניאַפאַקטשערד מיט אַוואַנסירטע MOCVD ויסריכט צו ענשור הויך פאָרשטעלונג און רילייאַבילאַטי. אין טערמינען פון לאַדזשיסטיקס, XKH האט אַ ברייט קייט פון אינטערנאַציאָנאַלע מקור טשאַנאַלז, וואָס קענען פלעקסאַבאַל שעפּן די נומער פון אָרדערס און צושטעלן ווערט-צוגעלייגט באַדינונגס אַזאַ ווי ראַפינירטקייַט און סעגמאַנטיישאַן. עפעקטיוו עקספּרעס פּראַסעסאַז ינשור עקספּרעס צייט און טרעפן קונה רעקווירעמענץ פֿאַר קוואַליטעט און עקספּרעס צייט.