עלעקטראָד סאַפיר סאַבסטראַט און וואַפער C-פּלאַן LED סאַבסטראַטן
ספּעציפֿיקאַציע
| אַלגעמיין | ||
| כעמישע פאָרמולע | Al2O3 | |
| קריסטאַל סטרוקטור | העקסאַגאָנאַל סיסטעם (hk o 1) | |
| איינהייט צעל דימענסיע | a=4.758 Å,Å c=12.991 Å, c:a=2.730 | |
| פיזיש | ||
| מעטריק | ענגליש (אימפעריאַל) | |
| געדיכטקייט | 3.98 ג/קוביק סענטימעטער | 0.144 פונט/אינטש³ |
| כאַרטקייט | 1525 - 2000 קנופּ, 9 חדשים | 3700° F |
| שמעלץ־פונקט | 2310 קעלװין (2040° צעלזיוס) | |
| סטרוקטורעל | ||
| ציען שטאַרקייט | 275 MPa ביז 400 MPa | 40,000 ביז 58,000 פּסי |
| ציען-שטאַרקייט ביי 20°C | 58,000 פּסי (דיזיין מינימום) | |
| ציען-שטאַרקייט ביי 500°C | 40,000 פּסי (דיזיין מינימום) | |
| ציען-שטאַרקייט ביי 1000°C | 355 MPa | 52,000 פּסי (דיזיין מינימום) |
| בייגונג שטאַרקייט | 480 MPa ביז 895 MPa | 70,000 ביז 130,000 פּסי |
| קאַמפּרעשאַן שטאַרקייט | 2.0 GPa (לעצט) | 300,000 פּסי (לעצטנס) |
סאַפיר ווי אַ האַלב-קאָנדוקטאָר קרייַז סאַבסטראַט
דינע סאַפיר וועיפערס זענען געווען די ערשטע געלונגענע נוצן פון אַן איזאָלירנדיקן סאַבסטראַט אויף וועלכן סיליקאָן איז געווען דעפּאַזיטירט צו פאַבריצירן אינטעגרירטע קרייזן גערופן סיליקאָן אויף סאַפיר (SOS). אין דערצו צו זיינע אויסגעצייכנטע עלעקטרישע איזאָלאַציע אייגנשאַפטן, האט סאַפיר אַ הויכע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי. CMOS טשיפּס אויף סאַפיר זענען באַזונדער פּאַסיק פֿאַר הויך-מאַכט ראַדיאָ אָפטקייט (RF) אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי מאָביל טעלעפאָנען, עפנטלעכע זיכערהייט באַנד ראַדיאָס און סאַטעליט קאָמוניקאַציע סיסטעמען.
איין-קריסטאל סאַפיר וועיפערס ווערן אויך גענוצט ווי סאַבסטראַטן אין דער האַלב-קאָנדוקטאָר אינדוסטריע פֿאַר וואַקסן גאַליום ניטריד (GaN) באַזירטע דעוויסעס. די נוצן פון סאַפיר ראַדוסירט באַדייטנד קאָסטן ווייל עס איז וועגן 1/7 פון די קאָסטן פון דזשערמאַניאַם. GaN אויף סאַפיר ווערט אָפט גענוצט אין בלוי ליכט עמיטינג דיאָדעס (LEDs).
ניצן ווי אַ פֿענצטער מאַטעריאַל
סינטעטישער סאַפיר (מאל גערופן סאַפיר גלאָז) ווערט אָפט גענוצט ווי אַ פֿענצטער מאַטעריאַל ווייַל עס איז העכסט טראַנספּאַרענט צווישן 150 נם (ולטראַוויאָלעט) און 5500 נם (אינפֿראַרויט) כוואַליע לענג פון ליכט (די זעבארע ספּעקטרום ריינדזשאַז פון וועגן 380 נם צו 750 נם) און האט אַ זייער הויך קעגנשטעל צו קראַצן. שליסל אַדוואַנידזשיז פון סאַפיר פֿענצטער
אַרייַננעמען
גאָר ברייטע אָפּטישע טראַנסמיסיע באַנדווידט, פֿון UV ביז נאָענט-אינפֿראַרויט ליכט
שטאַרקער ווי אַנדערע אָפּטישע מאַטעריאַלן אָדער גלאָז פֿענצטער
העכסט קעגנשטעליק צו קראַצן און אַברייזשאַן (מינעראַל כאַרדנאַס פון 9 אויף די מאָהס וואָג, צווייט נאָר צו דימענט און מאָיסאַניט צווישן נאַטירלעך סאַבסטאַנסיז)
זייער הויכער שמעלץ־פונקט (2030°C)
דעטאַלירטע דיאַגראַמע
