4H-N 8 אינטש SiC סאַבסטראַט וועיפער סיליקאָן קאַרבייד דאַמי פאָרשונג גראַד 500ום גרעב

קורצע באַשרייַבונג:

סיליקאָן קאַרבייד וועיפערס ווערן גענוצט אין עלעקטראָנישע דעוויסעס ווי מאַכט דיאָדעס, MOSFETs, הויך-מאַכט מייקראַווייוו דעוויסעס, און RF טראַנזיסטאָרן, וואָס ערמעגליכט עפעקטיוו ענערגיע קאַנווערזשאַן און מאַכט פאַרוואַלטונג. SiC וועיפערס און סאַבסטראַטן געפֿינען אויך נוצן אין אָטאָמאָטיוו עלעקטראָניק, אַעראָספּייס סיסטעמען, און רינואַבאַל ענערגיע טעקנאַלאַדזשיז.

שיקט אַן אימעיל צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

ווי אזוי קלייבט מען סיליקאן קאַרבייד וועיפערס און SiC סאַבסטראַטעס?

ווען מען קלייבט סיליקאָן קאַרבייד (SiC) וועיפערס און סאַבסטראַטן, זענען דאָ עטלעכע פאַקטאָרן צו באַטראַכטן. דאָ זענען עטלעכע וויכטיקע קריטעריעס:

מאַטעריאַל טיפּ: באַשטימט דעם טיפּ SiC מאַטעריאַל וואָס פּאַסט צו אייער אַפּליקאַציע, אַזאַ ווי 4H-SiC אָדער 6H-SiC. די מערסט אָפט גענוצטע קריסטאַל סטרוקטור איז 4H-SiC.

דאָפּינג טיפ: באַשליסט צי איר דאַרפט אַ דאָפּירט אָדער נישט-דאָפּט SiC סאַבסטראַט. געוויינטלעכע דאָפּינג טיפן זענען N-טיפּ (n-דאָפּט) אָדער P-טיפּ (p-דאָפּט), דיפּענדינג אויף אייערע ספּעציפֿישע באדערפענישן.

קריסטאַל קוואַליטעט: אָפּשאַצן די קריסטאַל קוואַליטעט פון די SiC וועיפערס אָדער סאַבסטראַטן. די געוואונטשענע קוואַליטעט ווערט באַשטימט דורך פּאַראַמעטערס ווי די נומער פון חסרונות, קריסטאַלאָגראַפישע אָריענטירונג, און ייבערפלאַך ראַפנאַס.

וועיפער דיאַמעטער: קלייבט די פּאַסיקע וועיפער גרייס באַזירט אויף אייער אַפּליקאַציע. געוויינטלעכע גרייסן אַרייַננעמען 2 אינטשעס, 3 אינטשעס, 4 אינטשעס און 6 אינטשעס. ווי גרעסער דער דיאַמעטער, אַלץ מער פּראָדוקטיוויטעט קענט איר באַקומען פּער וועיפער.

גרעב: באַטראַכט די געוואונטשענע גרעב פון די SiC וועיפערס אדער סאַבסטראַטן. טיפּישע גרעב אָפּציעס גייען פון אַ פּאָר מיקראָמעטערס ביז עטלעכע הונדערט מיקראָמעטערס.

אָריענטאַציע: באַשטימט די קריסטאַלאָגראַפֿישע אָריענטאַציע וואָס פּאַסט צו די באַדערפֿנישן פֿון אייער אַפּליקאַציע. געוויינטלעכע אָריענטאַציעס זענען (0001) פֿאַר 4H-SiC און (0001) אָדער (0001̅) פֿאַר 6H-SiC.

אויבערפלאַך ענדיקונג: אָפּשאַצן די אויבערפלאַך ענדיקונג פון די SiC וועיפערס אָדער סאַבסטראַטן. די אויבערפלאַך זאָל זיין גלאַט, פּאַלישט, און פריי פון קראַצן אָדער קאַנטאַמאַנאַנץ.

סאַפּלייער רעפּוטאַציע: קלייבט אַ רעספּעקטאַבלן סאַפּלייער מיט ברייטע דערפאַרונג אין פּראָדוצירן הויך-קוואַליטעט SiC וועיפערס און סאַבסטראַטן. באַטראַכט פאַקטאָרן ווי פאַבריקאַציע קייפּאַבילאַטיז, קוואַליטעט קאָנטראָל, און קונה באריכטן.

קאָסטן: באַטראַכט די קאָסטן אימפּליקאַציעס, אַרייַנגערעכנט די פּרייַז פּער וועיפער אָדער סאַבסטראַט און קיין נאָך קאַסטאַמייזיישאַן הוצאות.

עס איז וויכטיג צו קערפֿול אָפּשאַצן די פֿאַקטאָרן און זיך באַראַטן מיט אינדוסטריע עקספּערטן אָדער סאַפּלייערז צו ענשור אַז די אויסדערוויילטע SiC וואַפֿערס און סאַבסטראַטן טרעפֿן דיין ספּעציפֿישע אַפּלאַקיישאַן רעקווירעמענץ.