4H-N 4 אינטש SiC סאַבסטראַט וועיפער סיליקאָן קאַרבייד פּראָדוקציע דאַמי פאָרשונג גראַד

4-אינטש סיליקאָן קאַרבייד איין קריסטאַל סאַבסטראַט ווייפער דיאַמעטער פון 4 אינטשעס (וועגן 101.6 מם), ייבערפלאַך ענדיקן ביז Ra < 0.5 נם, גרעב פון 600±25 מיקראָמעטער. די קאַנדאַקטיוויטי פון די ווייפער איז N טיפּ אָדער P טיפּ און קען זיין קאַסטאַמייזד לויט קונה באדערפענישן. אין דערצו, דער טשיפּ האט אויך ויסגעצייכנט מעכאַנישע פעסטקייַט, קענען וויטסטאַנד אַ געוויסע סומע פון ​​דרוק און ווייבריישאַן.

א אינטש סיליקאן קאַרבייד איין קריסטאַל סאַבסטראַט וועיפער איז אַ הויך-פאָרשטעלונג מאַטעריאַל וויידלי געניצט אין האַלב-קאָנדוקטאָר, פאָרשונג און אָפּטאָעלעקטראָניק פעלדער. עס האט ויסגעצייכנט טערמישע קאַנדאַקטיוויטי, מעכאַנישע פעסטקייט און הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, וואָס איז פּאַסיק פֿאַר דער צוגרייטונג פון הויך-מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס און די פאָרשונג פון נייַע מאַטעריאַלס. מיר פאָרשלאָגן אַ פאַרשיידנקייַט פון ספּעסאַפאַקיישאַנז און קאַסטאַמייזיישאַן אָפּציעס צו טרעפן אַ פאַרשיידנקייַט פון קונה באדערפענישן. ביטע באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו אונדזער אומאָפּהענגיק פּלאַץ צו לערנען מער וועגן די פּראָדוקט אינפֿאָרמאַציע פון ​​סיליקאן קאַרבייד וועיפערז.

שליסל ארבעטן: סיליקאן קאַרבייד וועיפערס, סיליקאן קאַרבייד איין קריסטאַל סאַבסטראַט וועיפערס, 4 אינטשעס, טערמישע קאַנדאַקטיוויטי, מעכאַנישע פעסטקייט, הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, מאַכט טראַנזיסטאָרן, ינטאַגרייטאַד סערקאַץ, מאַכט מאָדולן, לעדס, לאַזער דיאָדעס, ייבערפלאַך ענדיקן, קאַנדאַקטיוויטי, מנהג אָפּציעס