הויך-פאָרשטעלונג העטעראָגענע סאַבסטראַט פֿאַר RF אַקוסטישע דעוויסעס (LNOSiC)

קורצע באַשרייַבונג:

דער RF פראָנט-ענד מאָדול איז אַ קריטישער קאָמפּאָנענט פון מאָדערנע מאָביל קאָמוניקאַציע סיסטעמען, און RF פילטערס זענען צווישן זיינע מערסט וויכטיקע יסודות. די פאָרשטעלונג פון RF פילטערס באַשטימט גלייך די עפעקטיווקייט פון ספּעקטרום נוצן, סיגנאַל אָרנטלעכקייט, מאַכט קאַנסאַמשאַן, און קוילעלדיק סיסטעם רילייאַבילאַטי. מיט דער הקדמה פון 5G NR אָפטקייַט באַנדס און די קעסיידערדיקע עוואָלוציע צו צוקונפֿט וויירלעסס סטאַנדאַרדס, RF פילטערס זענען פארלאנגט צו אַרבעטן בייהעכערע פרעקווענצן, ברייטערע באַנדווידטס, העכערע מאַכט לעוועלס, און פֿאַרבעסערטע טערמישע פעסטקייט.

איצט, בלייבן הויך-קוואַליטעט RF אַקוסטישע פילטערס שטאַרק אָפענגיק אויף אימפארטירטע טעכנאָלאָגיעס, בשעת די אינלענדישע אַנטוויקלונג אין מאַטעריאַלן, מיטל אַרכיטעקטורן און פאַבריקאַציע פּראָצעסן איז באַגרענעצט. דערגרייכן הויך-פאָרשטעלונג, סקאַלירבאַרע און קאָסטן-עפעקטיווע RF פילטער לייזונגען איז דעריבער פון גרויס סטראַטעגישער וויכטיקייט.

שיקט אַן אימעיל צו אונדז

פֿעיִטשערז

דעטאַלירטע דיאַגראַמע

פּראָדוקט איבערבליק

אינדוסטריע הינטערגרונט און טעכנישע טשאַלאַנדזשיז

אויבערפלאַך אַקוסטישע כוואַליע (SAW) און באַלק אַקוסטישע כוואַליע (BAW) פילטערס זענען די צוויי דאָמינאַנטע טעכנאָלאָגיעס אין מאָביל RF פראָנט-ענד אַפּלאַקיישאַנז רעכט צו זייער ויסגעצייכנט אָפטקייַט סעלעקטיוויטי, הויך קוואַליטעט פאַקטאָר (Q), און נידעריק ינסערשאַן אָנווער. צווישן זיי, SAW פילטערס פאָרשלאָגן קלאָר אַדוואַנידזשיז איןקאָסטן, פּראָצעס צייַטיקייט, און גרויס-וואָג מאַנופאַקטוראַביליטי, מאכנדיג זיי די הויפטשטראם לייזונג אין דער דינער RF פילטער אינדוסטריע.

אבער, קאנווענציאנעלע SAW פילטערס שטייען פאר אינטרינסישע באגרענעצונגען ווען זיי ווערן אנגעווענדט צו פארגעשריטענע 4G און 5G קאמוניקאציע סיסטעמען, אריינגערעכנט:

לימיטירטע צענטער פרעקווענץ, וואס באגרענעצט די קאווערידזש פון מיטל- און הויך-בענד 5G NR ספּעקטרום
נישט גענוג קיו פאַקטאָר, באַגרענעצט באַנדווידט און סיסטעם פאָרשטעלונג
אויסגעשפראָכענע טעמפּעראַטור דריפט
לימיטירטע מאַכט האַנדלינג קייפּאַבילאַטי

איבערקומען די באגרענעצונגען בשעת'ן אויפהיטן די סטרוקטורעלע און פראצעס מעלות פון SAW טעכנאלאגיע איז א שליסל טעכנישע אויפגאבע פאר די קומענדיגע דור RF אקוסטישע דעווייסעס.

דיזיין פילאָסאָפֿיע און טעכנישער צוגאַנג

פֿון אַ פֿיזישער פּערספּעקטיוו:

העכערע אַפּערייטינג אָפטקייטפארלאנגט אקוסטישע מאָדעס מיט העכערער פאַזע גיכקייט אונטער אידענטישע כוואַליע-בעדינגונגען
ברייטערע באַנדברייטפארלאנגט גרעסערע עלעקטראָמעכאַנישע קאַפּלינג קאָעפיציענטן
העכערע מאַכט האַנדלינגדעפּענדס אויף סאַבסטראַטן מיט ויסגעצייכנט טערמיש קאַנדאַקטיוויטי, מעכאַנישע שטאַרקייט און נידעריק אַקוסטיש אָנווער

באַזירט אויף דעם פארשטאנד,אונדזער אינזשעניריע מאַנשאַפֿטהאט אנטוויקלט א נייעם העטעראגענעם אינטעגראציע צוגאנג דורך קאמבינירןאיין-קריסטאַל ליטהיום ניאָבאַט (LiNbO₃, LN) פּיעזאָעלעקטרישע דין פילמעןמיטהויך-אַקוסטיש-גיכקייט, הויך-טערמיש-קאָנדוקטיוויטי שטיצנדיקע סאַבסטראַטן, ווי למשל סיליקאָן קאַרבייד (SiC). די אינטעגרירטע סטרוקטור ווערט גערופןLNOSiC.

קערן טעכנאָלאָגיע: LNOSiC העטעראָגענע סאַבסטראַט

די LNOSiC פּלאַטפאָרמע גיט סינערגיסטישע פאָרשטעלונג אַדוואַנטאַגעס דורך מאַטעריאַל און סטרוקטוראַל קאָ-פּלאַן:

הויך עלעקטראָמעטשאַניקאַל קאַפּלינג

דער איין-קריסטאַל LN דין פילם ווייזט אויסגעצייכנטע פּיעזאָעלעקטרישע אייגנשאַפטן, וואָס ערמעגליכט עפעקטיווע עקסייטיישאַן פון ייבערפלאַך אַקוסטישע כוואַליעס (SAW) און לאַם כוואַליעס מיט גרויסע עלעקטראָמעכאַנישע קאַפּלינג קאָעפֿיציענטן, דערמיט שטיצן ברייטבאַנד RF פילטער דיזיינז.

הויך-פרעקווענץ און הויך-קװ פאָרשטעלונג

די הויכע אַקוסטישע גיכקייט פון די שטיצנדיקע סאַבסטראַט ערמעגליכט העכערע אַפּערייטינג פרעקווענצן בשעת עפעקטיוולי סאַפּרעסינג אַקוסטישע ענערגיע ליקאַדזש, ריזאַלטינג אין פֿאַרבעסערטע קוואַליטעט פאַקטאָרן.

העכערע טערמישע פאַרוואַלטונג

שטיצנדיקע סאַבסטראַטן ווי SiC צושטעלן אויסערגעוויינלעכע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי, וואָס פֿאַרבעסערט באַדייטנד די מאַכט האַנדלינג קייפּאַבילאַטי און לאַנג-טערמין אָפּעראַציאָנעל פעסטקייט אונטער הויך RF מאַכט באדינגונגען.

פּראָצעס קאָמפּאַטאַביליטי און סקאַלאַביליטי

די העטעראָגענע סאַבסטראַט איז גאָר קאָמפּאַטיבל מיט עקזיסטירנדיקע SAW פאַבריקאַציע פּראָצעסן, וואָס פאַסילאַטירט אַ גלאַט טעכנאָלאָגיע אַריבערפירן, סקאַלירבאַר מאַנופאַקטורינג, און קאָסטן-עפעקטיוו פּראָדוקציע.

מיטל קאָמפּאַטאַביליטי און סיסטעם-לעוועל אַדוואַנטאַגעס

דער LNOSiC העטעראָגענער סאַבסטראַט שטיצט קייפל RF אַקוסטישע מיטל אַרכיטעקטורן אויף אַ איין מאַטעריאַל פּלאַטפאָרמע, אַרייַנגערעכנט:

קאַנווענשאַנאַל SAW פילטערס
טעמפּעראַטור-קאָמפּענסירטע SAW (TC-SAW) דעוויסעס
איזאָלאַטאָר-פאַרשטאַרקטע הויך-פאָרשטעלונג SAW (IHP-SAW) דעוויסעס
הויך-פרעקווענץ לאם כוואַליע אַקוסטישע רעזאָנאַטאָרן

אין פּרינציפּ, קען אַן איינציקע LNOSiC ווייפער שטיצןמולטי-באַנד RF פילטער אַררייז וואָס דעקן 3G, 4G און 5G אַפּלאַקיישאַנז, אָפפערט אַן אמתע"אַלץ-אין-איין" RF אַקוסטישע סאַבסטראַט לייזונגדיזער צוגאַנג רעדוצירט סיסטעם קאָמפּלעקסיטעט בשעת עס ערמעגליכט העכערע פאָרשטעלונג און גרעסערע אינטעגראַציע געדיכטקייט.

סטראַטעגישער ווערט און אינדוסטריעלער השפּעה

דורך באַוואָרענען די קאָסטן און פּראָצעס אַדוואַנידזשיז פון SAW טעכנאָלאָגיע בשעת דערגרייכן אַ באַטייטיק שפּרינגען אין פאָרשטעלונג, די LNOSiC העטעראָגענע סאַבסטראַט גיט אַפּראַקטישער, מאַנופאַקטוראַבאַלער און סקאַלירבאַרער וועגצו הויך-ענד RF אַקוסטישע דעוויסעס.

די לייזונג שטיצט נישט נאר גרויס-מאסשטאב דיפּלוימאַנט אין 4G און 5G קאָמוניקאַציע סיסטעמען, נאָר אויך שטעלט אויף א סאָלידע מאַטעריאַלן און טעכנאָלאָגיע יסוד פֿאַר צוקונפֿטיקע הויך-פרעקווענץ און הויך-מאַכט RF אַקוסטישע דעוויסעס. עס רעפּרעזענטירט א קריטישן שריט צו דינער סאַבסטיטוציע פון הויך-ענד RF פילטערס און לאַנג-טערמין טעקנאַלאַדזשיקאַל זעלבסטשטענדיקייט.

אָפֿט געשטעלטע פֿראַגעס פֿון LNOSIC

פ1: ווי אזוי איז LNOSiC אנדערש פון קאנווענציאנעלע SAW סאַבסטראַטן?

A:קאַנווענשאַנעל SAW דעוויסעס ווערן טיפּיש פאַבריצירט אויף גרויס פּיעזאָעלעקטרישע סאַבסטראַטן, וואָס באַגרענעצט אָפטקייט, Q פאַקטאָר, און מאַכט האַנדלינג. LNOSiC אינטעגרירט אַ איין-קריסטאַל LN דין פילם מיט אַ הויך-געשווינדיקייט, הויך-טערמאַל-קאַנדאַקטיוויטי סאַבסטראַט, וואָס ערמעגליכט העכער אָפטקייט אָפּעראַציע, ברייטער באַנדווידט, און באַדייטנד פֿאַרבעסערטע מאַכט קאַפּאַציטעט בשעת ריטיינינג SAW פּראָצעס קאַמפּאַטאַבילאַטי.

פראגע 2: ווי אזוי פארגלייכט זיך LNOSiC מיט BAW/FBAR טעכנאָלאָגיעס?

A:BAW פילטערס זענען אויסגעצייכנט ביי זייער הויכע פרעקווענצן אבער פארלאנגען קאמפליצירטע פאבריקאציע פראצעסן און ברענגען העכערע קאסטן. LNOSiC אפערט א קאמפלעמענטארע לייזונג דורך אויסברייטערן SAW טעכנאלאגיע אין העכערע פרעקווענץ בענדס מיט נידעריקערע קאסטן, בעסערע פראצעס מאטוריטעט, און גרעסערע בייגיקייט פאר מולטי-בענד אינטעגראציע.

פ3: איז LNOSiC פּאַסיק פֿאַר 5G NR אַפּליקאַציעס?

A:יא. די הויכע אקוסטישע גיכקייט, גרויסע עלעקטראָמעכאַנישע קאַפּלינג, און העכערע טערמישע פאַרוואַלטונג פון LNOSiC מאַכן עס גוט פּאַסיק פֿאַר מיטל- און הויך-באַנד 5G NR פילטערס, אַרייַנגערעכנט אַפּלאַקיישאַנז וואָס דאַרפן ברייט באַנדווידט און הויך מאַכט האַנדלינג.

וועגן אונדז

XKH ספּעציאַליזירט זיך אין הויך-טעק אַנטוויקלונג, פּראָדוקציע און פארקויפונג פון ספּעציעלע אָפּטישע גלאָז און נייע קריסטאַל מאַטעריאַלן. אונדזערע פּראָדוקטן דינען אָפּטישע עלעקטראָניק, קאָנסומער עלעקטראָניק און די מיליטער. מיר פאָרשלאָגן סאַפיר אָפּטישע קאָמפּאָנענטן, מאָביל טעלעפאָן לינז דעקל, קעראַמיק, LT, סיליקאָן קאַרבייד SIC, קוואַרץ און האַלב-קאָנדוקטאָר קריסטאַל וועיפערס. מיט באַגאַבטער עקספּערטיז און שניידנדיקער עקוויפּמענט, מיר עקסעלירן אין ניט-סטאַנדאַרט פּראָדוקט פּראַסעסינג, מיט דער ציל צו זיין אַ פירנדיקע אָפּטאָעלעקטראָנישע מאַטעריאַלן הויך-טעק ענטערפּרייז.