4 אינטש SiC וועיפערס 6H האַלב-איזאָלירנדיק SiC סאַבסטראַטן פּריים, פאָרשונג און דאַמי גראַד

קורצע באַשרייַבונג:

האַלב-איזאָלירטע סיליקאָן קאַרבייד סאַבסטראַט ווערט געשאַפֿן דורך שניידן, שלייפן, פּאָלירן, רייניקן און אַנדערע פּראָצעס טעכנאָלאָגיע נאָך דעם וואוקס פֿון האַלב-איזאָלירטע סיליקאָן קאַרבייד קריסטאַלן. אַ שיכט אָדער מער-שיכטיקע קריסטאַל שיכט ווערט געוואַקסן אויף דעם סאַבסטראַט וואָס טרעפֿט די קוואַליטעט רעקווירעמענץ ווי עפּיטאַקסי, און דערנאָך ווערט די מייקראַווייוו RF מיטל געמאַכט דורך קאָמבינירן דעם קרייַז פּלאַן און פּאַקאַגינג. בנימצא ווי 2 אינטש 3 אינטש 4 אינטש הויך 6 אינטש 8 אינטש אינדוסטריעלע, פאָרשונג און טעסט גראַד האַלב-איזאָלירטע סיליקאָן קאַרבייד איין קריסטאַל סאַבסטראַטן.

שיקט אַן אימעיל צו אונדז

פֿעיִטשערז

פּראָדוקט ספּעציפֿיקאַציע

גראַד			נול MPD פּראָדוקציע גראַד (Z גראַד)			סטאַנדאַרט פּראָדוקציע גראַד (P גראַד)		דאַמי גראַד (ד גראַד)
דיאַמעטער			99.5 מ״מ~100.0 מ״מ
	4H-SI		500 מיקראָמעטער ± 20 מיקראָמעטער			500 מיקראָמעטער ± 25 מיקראָמעטער
וואַפער אָריענטירונג			נישט אויף דער אַקס: 4.0° צו <1120> ±0.5° פֿאַר 4H-N, אויף דער אַקס: <0001>±0.5° פֿאַר 4H-SI
	4H-SI		≤1 ס״מ^-2			≤5 ס״מ^-2		≤15 ס״מ^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
הויפּט פלאַך אָריענטירונג		{10-10} ±5.0°
ערשטיק פלאַך לענג		32.5 מ״מ±2.0 מ״מ
צווייטיק פלאַך לענג		18.0 מ״מ±2.0 מ״מ
צווייטיקע פלאַך אָריענטירונג		סיליקאָן פּנים אַרויף: 90° CW. פֿון פּריים פלאַך ±5.0°
ברעג אויסשליסונג		3 מ״מ
LTV/TTV/בויגן /וואָרפּ		≤3 μם/≤5 μם/≤15 μם/≤30 μם						≤10 μם/≤15 μם/≤25 μם/≤40 μם
ראַפקייט			C פּנים				פּויליש		ראַ≤1 נאַנאָמעטער
			סי פּנים	סי.עם.פי.	ראַ≤0.2 נאַנאָמעטער					ראַ≤0.5 נאַנאָמעטער
ברעג קראַקס דורך הויך אינטענסיטי ליכט		קיין איינס						קומולאַטיווע לענג ≤ 10 מם, איינציק לענג ≤2 מם
העקס פּלאַטעס דורך הויך אינטענסיטי ליכט		קומולאַטיווע שטח ≤0.05%						קומולאַטיווע שטח ≤0.1%
פּאָליטיפּ געביטן דורך הויך אינטענסיטי ליכט		קיין איינס						קומולאַטיווע שטח ≤3%
וויזועלע קאַרבאָן אינקלוזשאַנז		קומולאַטיווע שטח ≤0.05%						קומולאַטיווע שטח ≤3%
סיליקאָן ייבערפלאַך קראַצט דורך הויך אינטענסיטי ליכט		קיין איינס						קומולאַטיווע לענג ≤1＊ווייפער דיאַמעטער
ברעג טשיפּס הויך דורך אינטענסיטי ליכט		נישט ערלויבט ≥0.2 מם ברייט און טיפקייט						5 ערלויבט, ≤1 מם יעדער
סיליקאָן ייבערפלאַך קאַנטאַמאַניישאַן דורך הויך אינטענסיטי		קיין איינס
פּאַקאַדזשינג		מולטי-וועפער קאַסעטע אָדער איין וועפער קאַנטיינער